3D XPoint相變存儲器的工作原理解析
日期:2017-06-21 11:11:33 / 點擊: 1840
摘要: 前段時間首款Intel 3D XPoint Optane 系列SSD發布了,有很多人都在猜測3D XPoint的工作原理,以至于很多人用一系列的元素和術語去解釋,因此造成了一定的混亂,這篇文章是介紹XPoint 是如何進行工作的。文章轉自SSD PK社區。
我已經看到有關3D XPoint技術討論的一些有缺陷的邏輯。有些是直接比較每個芯片與NAND閃存的成本(與3D NAND相比,3D XPoint可能比NAND需要更少的晶圓廠步驟)。其他人正在重復一系列術語和元素名稱,而不用花時間來實際解釋它的工作原理,而且太多的人甚至不能正確地發音。我的計劃是解決盡可能多的混亂,我希望用這篇文章,我希望你了解XPoint及其底層技術是如何工作的。雖然這里沒有提供絕對準確的的材料組成,但有大量證據說明了這種特定的技術。
雖然我們最初在XPoint公告事件Q&A上被告知該技術不是基于相位變化的,但絕對有相反的證據,英特爾很可能不想讓產品離開包裝太早。有趣的是,英特爾和美光都在五年前就基于PCM的內存發展做了簡報,幾乎所有關于這些簡報的內容完全符合我們今天在XPoint中的看法。
上述數據來自2011年的一篇文章,可能有點過時,但他們做的很好,把一些實際數字與各種固態存儲器技術的芯片級比較性能。我們還可以看到與XPoint到NAND Flash的?1000x速度和?1000x耐久性比較。現在,這些性能特性當然不能直接轉化為包含這些裸片的完整SSD的性能??刂破鏖_銷和管理必須采取各自的削減,正如我們看到的第一代XPoint SSD的性能所顯示的Intel:
有一些非常有聲望的人在那里唱衰,沒有基本的理解,第一次公開可用的新技術的迭代永遠不會代表其最終的表現能力。NAND閃存幾十年將其變成可用的SSD,而在攀升到今天我們所享受的性能水平之前的十年之內。時間會說明XPoint是否適用,但是鑒于Micron的演示以及我們自己 觀察到的Intel P4800X和Optane Memory SSD的性能,我認為這是一個很好的開始。
PCM如何工作
為了了解XPoint如何讀取和寫入位,我們先來看看相變材料是如何工作的,為了做到這一點,我們需要知道什么使得材料PCM能夠在第一位置。
相變材料通常是準金屬的合金。類金屬是與金屬和非金屬共享特性的元素。它們在室溫下作為絕緣體,當加熱時(或摻雜時)作為導體。我們已經對幾種半不同混合物的合金進行了幾十年的試驗。硼主要用于摻雜,而onium是不穩定和放射性的,所以我們不會看到太多的東西。硅對于標準晶體管和其他半導體來說非常棒,但是作為相變材料不太適合,留下鍺(Ge),砷(As),銻(Sb)和碲(Te)。將這些合并在一起產生硫族化物,在本文的上下文中,其是含有碲陰離子的化合物(Te是屬于周期表中硫屬元素基團的唯一穩定的準金屬)。一旦混合了適當的比例,這些材料提供了一些相當獨特的性質。
具體來說,準金屬合金具有多個穩定狀態,每個狀態都具有自己獨特的電阻特性。這些可以通過以各種方式加熱和冷卻材料來操縱。非晶狀態類似于玻璃,而結晶狀態更像金屬。
讀寫相變記憶
好的,我們來解釋一下這里發生了什么。電壓施加在一段硫族化物材料上。如果該材料處于非晶態(混合)狀態,則直到超過閾值電壓(V th)才開始導通。一旦進行,隨著電壓進一步升高,電流也會進一步升高。由于材料現在起著阻力的作用,它會散熱并因此增加溫度。如果保持在“設定”(1)電壓,材料達到?350℃,其不夠熱,不能熔化,但如果溫度保持在?100℃,則*足夠溫暖使其分子重新結晶成晶體結構納秒。一旦形成,晶體結構的行為就像電阻器,即使在電壓被去除并且材料冷卻之后仍然保持。一旦處于設定狀態,施加0.5V將導致?0。5mA(使用上述示例)。電壓不再需要達到閾值以使材料進行導通,其響應遵循標記為“晶體”的曲線。
為了復位電池,我們施加了更高的電壓,推動電流和溫度足夠高(?600℃),將材料加熱到熔融狀態。這會使晶體結構熔化。然后去除電壓并且材料快速冷卻,通過結晶溫度區域太快以形成任何晶體結構,以非晶態“凍結”?,F在是“復位”(0),并且使用相同的0.5V將導致接近零電流。我應該指出,我們不需要幾乎這么高的電壓來執行讀取,因為即使0.1V會在我們的示例中使用的兩個狀態之間產生可讀的電流差異。
關于上述的一個有趣的事情是,在編程單元格之前不需要“擦除”,就像NAND閃存一樣。對于PCM單元,我們可以通過簡單地應用相關的電壓/時間曲線來執行設置或復位操作,而不考慮先前設置的狀態。與必須以頁(KB)寫入并在甚至更大的塊(MB)中擦除的NAND不同,PCM數據可以被“覆蓋”地覆蓋,并且可以在不干擾相鄰單元的情況下單次重寫。
調整公式
英特爾和美光將讓你相信,構成XPoint的東西是一個古老的秘密。常用的相變合金是鍺,銻和碲的2:2:5化學計量比。Ge 2 Sb 2 Te 5簡稱“GST”。與大多數合金一樣,配方可能有許多輕微的變化,這就是制造商特定的秘密發揮作用的地方。也就是說,我們確實有一些關于2010 Micron演示文稿可能會被調整的線索:
那些開發PCM技術的人會自然地微調混合物,嘗試改善性能。上面我們看到一個Micron的摘要摘要,顯示銻濃度稍微增加(Sb)有助于降低復位電阻(降低所需電壓),并減少設定操作所需的時間。還有與細胞選擇相關的外部因素,可能需要進一步調整比例,我們將在短時間內介紹。
你可能認為相變合金是如此異乎尋常,雖然你從來沒有去觀察過,但他就是這樣展現在你的面前??芍貙懝獗P(CD-RW / DVD-RW)是XPoint中找到的材料的非常親密的表兄弟。光盤使用銀和銦替代GST中發現的鍺,這自然改變了合金的性能。'空白'介質是結晶的,并且通過脈沖寫入激光器通過加熱點寫入凹坑。然后這些斑點迅速冷卻,沒有機會重結晶,形成較暗的區域,隨后可以將其視為反射率的差異。通過應用開始重結晶過程的較低功率激光器(這些合金可以在激光通過該區域后繼續結晶),擦除光盤。其他準金屬合金變體用于各種光學媒體技術,旨在提高擦除次數和其他性能特點。DVD-RAM實際上使用GST化合物,但依賴于其與電導率相反的光學性質。
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